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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFR 193W E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.892
BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager176.268
BFR340FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz Gewinn: 13dB ~ 28dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager25.296
BFR340L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 60mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager7.020
BFR 340T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 60mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager7.848
BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16dB Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.374
BFR 360F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: TSFP-3-1	Auf Lager3.508
BFR 360F E6765 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: TSFP-3-1	Auf Lager2.556
BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager631.860
BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager3.654
BFR 360L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 11.5dB ~ 16dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager4.194
BFR360L3E6765XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 11.5dB ~ 16dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager5.616
BFR 360T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager3.528
BFR 380F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 9.5dB ~ 13.5dB Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: TSFP-3-1	Auf Lager2.376
BFR380FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 9.5dB ~ 13.5dB Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager2.376
BFR380L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 7.5dB ~ 16.5dB Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager7.110
BFR 380T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9V 14GHZ SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager3.436
BFR460L3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1	Auf Lager4.374
BFR505,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager4.482
BFR505T,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager6.300
BFR520,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager3.708
BFR520,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager3.708
BFR520T,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager4.788
BFR540,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager4.644
BFR540,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager7.992
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 39GHZ TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 39GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn: 25dB Leistung - max: 40mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3	Auf Lager8.442
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn: 24dB Leistung - max: 80mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3	Auf Lager4.230
BFR 740L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn: 24dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3	Auf Lager6.390
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn: 24.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3	Auf Lager144.582
BFR750L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3	Auf Lager3.762

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