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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager683.124
BFS 17P E6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.748
BFS17PE6752HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.394
BFS 17P E8211 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.402
BFS17SE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.348
BFS17SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.994
BFS17TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.780
BFS17W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager8.046
BFS17W,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager7.884
BFS17WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager5.544
BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager160.038
BFS17WH6393XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.510
BFS25A,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 32mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager4.950
BFS 360L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 10dB ~ 14.5dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager5.760
BFS 380L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 8dB ~ 12dB Leistung - max: 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager8.226
BFS 386L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 10dB ~ 14.5dB Leistung - max: 210mW, 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA, 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager7.974
BFS 460L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN 5.8V 22GHZ TSLP-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.8V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 10dB ~ 14.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager7.596
BFS 466L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V, 9V Frequenz - Übergang: 22GHz, 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 12dB ~ 17dB Leistung - max: 200mW, 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA, 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager3.654
BFS 469L6 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 5V/10V 9GHZ TSLP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V, 10V Frequenz - Übergang: 22GHz, 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn: 14.5dB Leistung - max: 200mW, 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA, 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Lieferantengerätepaket: TSLP-6-1	Auf Lager4.536
BFS 481 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.526
BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: P-SOT363-6	Auf Lager47.904
BFS 483 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.118
BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager50.664
BFS505,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager2.250
BFS520,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager7.056
BFS520,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager7.686
BFS540,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager2.466
BFT25,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 30mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager28.578
BFT25A,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 32mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager282.618
BFT92,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager7.416

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