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BFS 380L6 E6327

BFS 380L6 E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFS 380L6 E6327
PNEDA Teilenummer BFS-380L6-E6327
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFS 380L6 E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS 380L6 E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS 380L6 E6327, BFS 380L6 E6327 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 98,94 KB)
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BFS 380L6 E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Gewinn8dB ~ 12dB
Leistung - max380mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 40mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN
LieferantengerätepaketTSLP-6-1

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

Gewinn

11dB ~ 14dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F1

PN5179_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PN3563_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB ~ 26dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BFP420FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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