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Transistoren

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.6V
  • Frequenz - Übergang: 75GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz
  • Gewinn: 27dB
  • Leistung - max: 75mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-101, SOT-883
  • Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3
Auf Lager8.784
BFR843EL3E6327XTSA1
BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: *
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.6V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: 25.5dB
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-XFDFN
  • Lieferantengerätepaket: TSLP-3-10
Auf Lager5.112
BFR92A,215

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager3.060
BFR92A,235

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager4.968
BFR92ALT1
BFR92ALT1

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 273mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 14mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.490
BFR92AW,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323-3
Auf Lager3.852
BFR92AW,135

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323-3
Auf Lager7.470
BFR92PE6327HTSA1
BFR92PE6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 10.5dB ~ 16dB
  • Leistung - max: 280mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager6.624
BFR 92W E6327
BFR 92W E6327

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 11.5dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 280mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3
Auf Lager2.412
BFR92WH6327XTSA1
BFR92WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 11.5dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 280mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3
Auf Lager3.888
BFR93A,215

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager4.428
BFR93A,235

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager6.768
BFR93AE6327HTSA1
BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 9.5dB ~ 14.5dB
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager293.118
BFR93AR,215

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager5.166
BFR93AW,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323-3
Auf Lager2.664
BFR93AW,135

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323-3
Auf Lager5.346
BFR 93AW E6327
BFR 93AW E6327

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 10.5dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3
Auf Lager7.020
BFR93AWH6327XTSA1
BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gewinn: 10.5dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3
Auf Lager112.464
BFR 949L3 E6327
BFR 949L3 E6327

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 21.5dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-101, SOT-883
  • Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-1
Auf Lager7.092
BFR 949T E6327
BFR 949T E6327

Infineon Technologies

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75

  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 20dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-75, SOT-416
  • Lieferantengerätepaket: PG-SC-75
Auf Lager7.974
BFR94A,215

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager3.888
BFR94AW,115

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323-3
Auf Lager3.546
BFS17,215
BFS17,215

NXP

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager2.574
BFS17,235
BFS17,235

NXP

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager3.978
BFS17A,215

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 2.8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager5.958
BFS17A,235

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 2.8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)
Auf Lager5.040
BFS17HTA
BFS17HTA

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.3GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 330mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager8.964
BFS17HTC
BFS17HTC

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.3GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 330mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.088
BFS17NQTA
BFS17NQTA

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 11V
  • Frequenz - Übergang: 3.2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 310mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.560
BFS17NTA
BFS17NTA

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 11V
  • Frequenz - Übergang: 3.2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 330mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager25.974