BFR93AWH6327XTSA1
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| Teilenummer | BFR93AWH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR93AWH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 112.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR93AWH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR93AWH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR93AWH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 6GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 10.5dB ~ 15.5dB |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 90mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Power Macro Lieferantengerätepaket Power Macro |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 90mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-3 Lieferantengerätepaket M13 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Frequenz - Übergang 2.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 5.6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
