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BFS17HTA

BFS17HTA

Nur als Referenz

Teilenummer BFS17HTA
PNEDA Teilenummer BFS17HTA
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFS17HTA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS17HTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS17HTA, BFS17HTA Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 44,41 KB)
PDFBFS17HTC Datenblatt Cover
BFS17HTC Datenblatt Seite 2

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BFS17HTA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.3GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)4.5dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max330mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 2mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

1458W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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55SM

Hersteller

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 5.5GHz

Gewinn

35dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

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