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10502

10502

Nur als Referenz

Teilenummer 10502
PNEDA Teilenummer 10502
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 55SM
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.686
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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10502 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer10502
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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10502 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.5dB
Leistung - max1458W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Betriebstemperatur230°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55SM
Lieferantengerätepaket55SM

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

2SC5508-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

KSC2786RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

2SC4915-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

550MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

17dB ~ 23dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SSM

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

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TCN4337M016R0070

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CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924