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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFT92E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 8dB ~ 13.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.184
BFT92W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 15V 4GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager5.364
BFT93,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager3.996
BFT93W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager4.320
BFU520AR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager26.088
BFU520AVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager8.514
BFU520R NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.798
BFU520VL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.282
BFU520WF NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 13dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager2.214
BFU520WX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager243.984
BFU520XAR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager2.466
BFU520XRR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager21.894
BFU520XRVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager6.732
BFU520XVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.402
BFU520YF NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Gewinn: 14dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager7.920
BFU520YX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager56.040
BFU530AR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager106.110
BFU530AVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager7.506
BFU530R NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.580
BFU530VL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.472
BFU530WF NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager6.444
BFU530WX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager7.992
BFU530XAR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager8.496
BFU530XRR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager6.354
BFU530XRVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 16.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager6.012
BFU530XVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 16.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.886
BFU550AR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager315.906
BFU550AVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager5.706
BFU550R NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager293.670
BFU550VL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.498

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