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BFU530XAR

BFU530XAR

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530XAR
PNEDA Teilenummer BFU530XAR
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530XAR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530XAR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530XAR, BFU530XAR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 301,4 KB)
PDFBFU530XVL Datenblatt Cover
BFU530XVL Datenblatt Seite 2 BFU530XVL Datenblatt Seite 3 BFU530XVL Datenblatt Seite 4 BFU530XVL Datenblatt Seite 5 BFU530XVL Datenblatt Seite 6 BFU530XVL Datenblatt Seite 7 BFU530XVL Datenblatt Seite 8 BFU530XVL Datenblatt Seite 9 BFU530XVL Datenblatt Seite 10 BFU530XVL Datenblatt Seite 11

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BFU530XAR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB @ 900MHz
Gewinn22dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

11W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Gewinn

-

Leistung - max

197mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

MRF10031

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

332A-03

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

39GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

Gewinn

25dB

Leistung - max

40mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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