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MRF581G

MRF581G

Nur als Referenz

Teilenummer MRF581G
PNEDA Teilenummer MRF581G
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF581G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF581G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF581G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)18V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Gewinn13dB ~ 15.5dB
Leistung - max1.25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallMicro-X ceramic (84C)
LieferantengerätepaketMicro-X ceramic (84C)

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

AT-64020

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD (200 mil BeO)

Lieferantengerätepaket

-

MSC3930-BT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

MRF5812M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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