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BFU530AR

BFU530AR

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530AR
PNEDA Teilenummer BFU530AR
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530AR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530AR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530AR, BFU530AR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 294,68 KB)
PDFBFU530AVL Datenblatt Cover
BFU530AVL Datenblatt Seite 2 BFU530AVL Datenblatt Seite 3 BFU530AVL Datenblatt Seite 4 BFU530AVL Datenblatt Seite 5 BFU530AVL Datenblatt Seite 6 BFU530AVL Datenblatt Seite 7 BFU530AVL Datenblatt Seite 8 BFU530AVL Datenblatt Seite 9 BFU530AVL Datenblatt Seite 10 BFU530AVL Datenblatt Seite 11

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BFU530AR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.6dB @ 900MHz
Gewinn18dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

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14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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