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BFU530XRR

BFU530XRR

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530XRR
PNEDA Teilenummer BFU530XRR
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.354
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530XRR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530XRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530XRR, BFU530XRR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 310,94 KB)
PDFBFU530XRVL Datenblatt Cover
BFU530XRVL Datenblatt Seite 2 BFU530XRVL Datenblatt Seite 3 BFU530XRVL Datenblatt Seite 4 BFU530XRVL Datenblatt Seite 5 BFU530XRVL Datenblatt Seite 6 BFU530XRVL Datenblatt Seite 7 BFU530XRVL Datenblatt Seite 8 BFU530XRVL Datenblatt Seite 9 BFU530XRVL Datenblatt Seite 10 BFU530XRVL Datenblatt Seite 11

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BFU530XRR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.65dB @ 900MHz
Gewinn21dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

10.2dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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BFU550R

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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