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BFP 196R E6327

BFP 196R E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFP 196R E6327
PNEDA Teilenummer BFP-196R-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.850
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP 196R E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP 196R E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP 196R E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinn10.5dB ~ 16.5dB
Leistung - max700mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketPG-SOT143-4

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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70GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

Gewinn

10dB ~ 24dB

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

SD1143-01

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

20W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

46010

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

1035MP

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 10.5dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

60180

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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