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BFU530AVL

BFU530AVL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530AVL
PNEDA Teilenummer BFU530AVL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530AVL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530AVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530AVL, BFU530AVL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 294,68 KB)
PDFBFU530AVL Datenblatt Cover
BFU530AVL Datenblatt Seite 2 BFU530AVL Datenblatt Seite 3 BFU530AVL Datenblatt Seite 4 BFU530AVL Datenblatt Seite 5 BFU530AVL Datenblatt Seite 6 BFU530AVL Datenblatt Seite 7 BFU530AVL Datenblatt Seite 8 BFU530AVL Datenblatt Seite 9 BFU530AVL Datenblatt Seite 10 BFU530AVL Datenblatt Seite 11

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BFU530AVL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn12dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Transistortyp

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Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

320W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

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Chassis Mount

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Die

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Die

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB @ 400MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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