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BFU550AR

BFU550AR

Nur als Referenz

Teilenummer BFU550AR
PNEDA Teilenummer BFU550AR
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 315.906
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU550AR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU550AR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU550AR, BFU550AR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 294,35 KB)
PDFBFU550AVL Datenblatt Cover
BFU550AVL Datenblatt Seite 2 BFU550AVL Datenblatt Seite 3 BFU550AVL Datenblatt Seite 4 BFU550AVL Datenblatt Seite 5 BFU550AVL Datenblatt Seite 6 BFU550AVL Datenblatt Seite 7 BFU550AVL Datenblatt Seite 8 BFU550AVL Datenblatt Seite 9 BFU550AVL Datenblatt Seite 10 BFU550AVL Datenblatt Seite 11

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BFU550AR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.6dB @ 900MHz
Gewinn18dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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CEL

Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB ~ 14dB

Leistung - max

1.7W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 160mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

16dB ~ 17.5dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

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