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AT-41435G

AT-41435G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-41435G
PNEDA Teilenummer AT-41435G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 3.654
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AT-41435G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-41435G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-41435G, AT-41435G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 71,8 KB)
PDFAT-41435G Datenblatt Cover
AT-41435G Datenblatt Seite 2 AT-41435G Datenblatt Seite 3 AT-41435G Datenblatt Seite 4 AT-41435G Datenblatt Seite 5

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AT-41435G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn10dB ~ 18.5dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD (35 micro-X)
Lieferantengerätepaket35 micro-X

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-11, Style 2

Lieferantengerätepaket

211-11, Style 2

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

960W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-439A

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NE68018-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

10.2dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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