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HFA3128BZ96

HFA3128BZ96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3128BZ96
PNEDA Teilenummer HFA3128BZ96
Beschreibung RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HFA3128BZ96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3128BZ96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3128BZ96, HFA3128BZ96 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3128BZ96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp5 PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

10.5dB ~ 28dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BGB 540 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

16dB ~ 17.5dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

32mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

2300W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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