BFS17PE6752HTSA1
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| Teilenummer | BFS17PE6752HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFS17PE6752HTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN SOT23-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.394 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFS17PE6752HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS17PE6752HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFS17PE6752HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.5dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB ~ 8.2dB Leistung - max 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 23dB Leistung - max 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 11dB Leistung - max 180mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
