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BFU530XRVL

BFU530XRVL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530XRVL
PNEDA Teilenummer BFU530XRVL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530XRVL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530XRVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530XRVL, BFU530XRVL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 310,94 KB)
PDFBFU530XRVL Datenblatt Cover
BFU530XRVL Datenblatt Seite 2 BFU530XRVL Datenblatt Seite 3 BFU530XRVL Datenblatt Seite 4 BFU530XRVL Datenblatt Seite 5 BFU530XRVL Datenblatt Seite 6 BFU530XRVL Datenblatt Seite 7 BFU530XRVL Datenblatt Seite 8 BFU530XRVL Datenblatt Seite 9 BFU530XRVL Datenblatt Seite 10 BFU530XRVL Datenblatt Seite 11

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BFU530XRVL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn16.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Power Macro

Lieferantengerätepaket

Power Macro

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

88W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

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