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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BLS2731-10,114 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 145W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-445C Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager2.880
BLS2731-110,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-423A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager5.688
BLS2731-20,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-445C Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager7.326
BLS2731-50,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-422A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager2.142
BLS3135-10,114 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 34W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-445C Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager8.406
BLS3135-20,114 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-422A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager5.400
BLS3135-50,114 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-422A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.030
BLS3135-65,114 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 200W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-422A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager5.688
BLT50,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.750
BLT70,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 2.1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 4.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.190
BLT80,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 150mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.444
BLT81,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9.5V Frequenz - Übergang: 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager82.842
BLW96/01,112 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 235MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 340W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-121B Lieferantengerätepaket: CRFM4	Auf Lager6.066
C1-28Z Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.748
CA3127M Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz Gewinn: 27dB ~ 30dB Leistung - max: 85mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager5.940
CA3127MZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz Gewinn: 27dB ~ 30dB Leistung - max: 85mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager8.928
CEN1107 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANSISTOR NPN Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.154
CEN1107 APM Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANSISTOR NPN Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.524
CM4957 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 25V 2.5GHZ TO72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 2.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 25dB Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager5.886
CM5160 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 40V 500MHZ TO39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager9.972
CMPT918 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager53.220
CMPTH10 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager2.124
CMPTH10 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.820
CMPTH81 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.606
CMPTH81 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager5.274
CMUT5179 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.45GHZ SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager28.188
CP302-MPSH10-CT Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.490
CP302-MPSH10-CT20 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.312
CP302-MPSH10-WN Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager6.372
CP681-MPSH81-CM Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager7.038

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