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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JAN2N2857 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager3.420
JAN2N2857UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.282
JAN2N4957 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager8.910
JAN2N4957UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager3.726
JANS2N2857UB-LC Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.408
JANTX2N2857 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager8.172
JANTX2N2857UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager5.184
JANTX2N4957 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager2.088
JANTX2N4957UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager3.330
JANTXV2N2857 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/343 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager6.624
JANTXV2N2857UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager3.454
JANTXV2N4957 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager6.606
JANTXV2N4957UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Gewinn: 25dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager5.544
JTDB25 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 97W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW-1 Lieferantengerätepaket: 55AW-1	Auf Lager8.478
JTDB75 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 8.2dB Leistung - max: 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager5.382
KSC1393OBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.938
KSC1393OTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.142
KSC1393RBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.004
KSC1393RTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.842
KSC1393YBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.634
KSC1393YTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn: 20dB ~ 24dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.560
KSC1674COBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.172
KSC1674COTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.496
KSC1674CYBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.084
KSC1674CYTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.834
KSC1674OBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.006
KSC1674OTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.428
KSC1674RBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.202
KSC1674RTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.996
KSC1674YBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager71.820

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