JANTX2N4957
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| Teilenummer | JANTX2N4957 |
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N4957 |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.088 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTX2N4957 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N4957 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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JANTX2N4957 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gewinn | 25dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-72-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-72 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M113 Lieferantengerätepaket M113 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn 13dB ~ 22.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V, 10V Frequenz - Übergang 22GHz, 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 14.5dB Leistung - max 200mW, 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA, 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-6-1 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Gewinn 15.5dB ~ 18.5dB Leistung - max 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
