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JANTX2N4957

JANTX2N4957

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N4957
PNEDA Teilenummer JANTX2N4957
Beschreibung RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.088
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX2N4957 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N4957
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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JANTX2N4957 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Gewinn25dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-72-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

18GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

15.5dB ~ 18.5dB

Leistung - max

230mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

MS1402

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

450MHz ~ 512MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

2SC5752-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFG 193 E6433

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

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