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BFU580QX

BFU580QX

Nur als Referenz

Teilenummer BFU580QX
PNEDA Teilenummer BFU580QX
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 19.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU580QX Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU580QX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU580QX, BFU580QX Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 270,53 KB)
PDFBFU580QX Datenblatt Cover
BFU580QX Datenblatt Seite 2 BFU580QX Datenblatt Seite 3 BFU580QX Datenblatt Seite 4 BFU580QX Datenblatt Seite 5 BFU580QX Datenblatt Seite 6 BFU580QX Datenblatt Seite 7 BFU580QX Datenblatt Seite 8 BFU580QX Datenblatt Seite 9 BFU580QX Datenblatt Seite 10 BFU580QX Datenblatt Seite 11

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BFU580QX Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB @ 1.8GHz
Gewinn8.5dB
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Transistortyp

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

18.3dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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