1214-370M
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| Teilenummer | 1214-370M |
| PNEDA Teilenummer | 1214-370M |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.754 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1214-370M Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1214-370M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1214-370M Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 75V |
| Frequenz - Übergang | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.7dB ~ 9dB |
| Leistung - max | 600W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55ST |
| Lieferantengerätepaket | 55ST |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.2dBd Leistung - max 2095W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55TU-1 Lieferantengerätepaket 55TU-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.6V Frequenz - Übergang 85GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB @ 5.5GHz Gewinn 35dB Leistung - max 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SSM |
