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1214-370M

1214-370M

Nur als Referenz

Teilenummer 1214-370M
PNEDA Teilenummer 1214-370M
Beschreibung RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.754
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1214-370M Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1214-370M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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1214-370M Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)75V
Frequenz - Übergang1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.7dB ~ 9dB
Leistung - max600W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55ST
Lieferantengerätepaket55ST

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

Frequenz - Übergang

85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 5.5GHz

Gewinn

35dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

TCS1200

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.2dBd

Leistung - max

2095W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55TU-1

Lieferantengerätepaket

55TU-1

MRF8372

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Gewinn

22dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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