BF199_J35Z
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| Teilenummer | BF199_J35Z |
| PNEDA Teilenummer | BF199_J35Z |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BF199_J35Z Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BF199_J35Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BF199_J35Z Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 1.1GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 10dB ~ 18dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (35 micro-X) Lieferantengerätepaket 35 micro-X |
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