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BFG135,115

BFG135,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG135,115
PNEDA Teilenummer BFG135-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.610
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG135 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG135,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG135, BFG135 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 316,94 KB)
PDFBFG135 Datenblatt Cover
BFG135 Datenblatt Seite 2 BFG135 Datenblatt Seite 3 BFG135 Datenblatt Seite 4 BFG135 Datenblatt Seite 5 BFG135 Datenblatt Seite 6 BFG135 Datenblatt Seite 7 BFG135 Datenblatt Seite 8 BFG135 Datenblatt Seite 9 BFG135 Datenblatt Seite 10 BFG135 Datenblatt Seite 11

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BFG135 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.3GHz ~ 2.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

58W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 160mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

BFU550AVL

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MSC2295-CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

MRF559

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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