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HFA3046BZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager17.580
HFA3046BZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager8.316
HFA3096B Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V, 15V Frequenz - Übergang: 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager8.982
HFA3096B96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V, 15V Frequenz - Übergang: 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager8.568
HFA3096BZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V, 15V Frequenz - Übergang: 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager24.120
HFA3096BZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V, 15V Frequenz - Übergang: 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.218
HFA3102B96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager2.070
HFA3102BZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager3.078
HFA3102BZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 6 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 12.4dB ~ 17.5dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager3.508
HFA3127B Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.596
HFA3127B96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager2.466
HFA3127BZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager14.184
HFA3127BZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager4.554
HFA3127R Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager2.754
HFA3127R96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager8.118
HFA3127RZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager6.360
HFA3127RZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager5.202
HFA3128B Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.164
HFA3128BZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager6.030
HFA3128BZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager2.412
HFA3128R Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager5.562
HFA3128R96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager6.822
HFA3128RZ Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager3.978
HFA3128RZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 16-QFN (3x3)	Auf Lager5.598
HFA3134IH96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6 Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager6.048
HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6 Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager3.726
HFA3135IH96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6 Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager2.970
HFA3135IHZ96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6 Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 26mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager8.550
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager8.244
ITC1100 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB ~ 10.5dB Leistung - max: 3400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55SW Lieferantengerätepaket: 55SW	Auf Lager8.622

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