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HFA3046BZ96

HFA3046BZ96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3046BZ96
PNEDA Teilenummer HFA3046BZ96
Beschreibung RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HFA3046BZ96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3046BZ96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3046BZ96, HFA3046BZ96 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3046BZ96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp5 NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket14-SOIC

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

MS2473A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SC5501A-4-TR-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

4-MCP

23A005

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

4.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 9.5dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

MPSH17RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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WSL2512R0250FEA

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RES 0.025 OHM 1% 1W 2512