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HFA3096BZ

HFA3096BZ

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3096BZ
PNEDA Teilenummer HFA3096BZ
Beschreibung RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 24.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HFA3096BZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3096BZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3096BZ, HFA3096BZ Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3096BZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp3 NPN + 2 PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V, 15V
Frequenz - Übergang8GHz, 5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

17V

Frequenz - Übergang

3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9.6dB ~ 13.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

LZ1418E100R,114

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

45W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 2A, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-443A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

EC4H09C-TL-H

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

26GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFDFN

Lieferantengerätepaket

4-ECSP1008

BFG35,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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