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HFA3127RZ96

HFA3127RZ96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3127RZ96
PNEDA Teilenummer HFA3127RZ96
Beschreibung RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HFA3127RZ96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3127RZ96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3127RZ96, HFA3127RZ96 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3127RZ96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp5 NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-VFQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-QFN (3x3)

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

MS2393

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.2dB

Leistung - max

583W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M138

Lieferantengerätepaket

M138

64054H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

11W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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