HFA3127RZ96
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| Teilenummer | HFA3127RZ96 |
| PNEDA Teilenummer | HFA3127RZ96 |
| Beschreibung | RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HFA3127RZ96 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HFA3127RZ96 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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HFA3127RZ96 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 5 NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN (3x3) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz Gewinn 21dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
