MS2207
Nur als Referenz
| Teilenummer | MS2207 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MS2207 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 141.639 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MS2207 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2207 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2207 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8dB |
| Leistung - max | 880W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M216 |
| Lieferantengerätepaket | M216 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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