HFA3127BZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | HFA3127BZ |
| PNEDA Teilenummer | HFA3127BZ |
| Beschreibung | RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.184 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
HFA3127BZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | HFA3127BZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- HFA3127BZ Datasheet
- where to find HFA3127BZ
- Renesas Electronics America Inc.
- Renesas Electronics America Inc. HFA3127BZ
- HFA3127BZ PDF Datasheet
- HFA3127BZ Stock
- HFA3127BZ Pinout
- Datasheet HFA3127BZ
- HFA3127BZ Supplier
- Renesas Electronics America Inc. Distributor
- HFA3127BZ Price
- HFA3127BZ Distributor
HFA3127BZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 5 NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 16.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.6dB Leistung - max 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST-1 Lieferantengerätepaket 55ST-1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 200MHz Gewinn - Leistung - max 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 11dB ~ 21.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
