BFP650FH6327XTSA1
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| Teilenummer | BFP650FH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP650FH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 131.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP650FH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP650FH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP650FH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 42GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 11dB ~ 21.5dB |
| Leistung - max | 500mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
