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BFP650FH6327XTSA1

BFP650FH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP650FH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP650FH6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 131.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP650FH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP650FH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP650FH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang42GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn11dB ~ 21.5dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 80mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket4-TSFP

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSC1393OBU

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 450MHz

Gewinn

6.5dB ~ 10.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

MSC72111H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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