1517-110M
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| Teilenummer | 1517-110M |
| PNEDA Teilenummer | 1517-110M |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.498 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1517-110M Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1517-110M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1517-110M Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 70V |
| Frequenz - Übergang | 1.48GHz ~ 1.65GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.3dB ~ 8.6dB |
| Leistung - max | 350W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9A |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55AW-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55AW-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M135 Lieferantengerätepaket M135 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/343 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 450MHz Gewinn 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
