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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFU550WF NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager6.570
BFU550WX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager47.352
BFU550XAR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Gull Wing Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager179.436
BFU550XRR NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager3.636
BFU550XRVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager8.658
BFU550XVL NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn: 15.5dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Gull Wing Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager7.974
BFU580GX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.128
BFU580QX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager19.668
BFU590GX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager58.812
BFU590QX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager29.274
BFU610F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn: 13.5dB ~ 23.5dB Leistung - max: 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager7.002
BFU630F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn: 13dB ~ 22.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager43.860
BFU660F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn: 12dB ~ 21dB Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager21.708
BFU668F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANSISTOR NPN SOT343F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: SOT-343F	Auf Lager2.484
BFU690F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Gewinn: 15.5dB ~ 18.5dB Leistung - max: 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager93.192
BFU710F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 43GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Gewinn: - Leistung - max: 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager26.034
BFU725F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 70GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Gewinn: 10dB ~ 24dB Leistung - max: 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager7.164
BFU725F/N1,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Gewinn: 10dB ~ 24dB Leistung - max: 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager92.274
BFU730F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Gewinn: - Leistung - max: 197mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager56.682
BFU730LXZ NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V Frequenz - Übergang: 53GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Gewinn: 15.8dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: 3-DFN1006 (1.0x0.6)	Auf Lager89.202
BFU760F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Gewinn: - Leistung - max: 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager2.988
BFU768F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Gewinn: 13.1dB Leistung - max: 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager5.112
BFU790F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.8V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Gewinn: - Leistung - max: 234mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager4.986
BFU910FX NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9.5V SOT343F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9.5V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: SOT-343F	Auf Lager49.578
BFY193PZZZA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz Gewinn: 12.5dB ~ 13.5dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: MICRO-X1 Lieferantengerätepaket: MICRO-X1	Auf Lager6.336
BFY90 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 5dB @ 500MHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager2.484
BFY90 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager23.904
BGB 540 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 16dB ~ 17.5dB Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager6.318
BGR405H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz Gewinn: - Leistung - max: 50mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager6.822
BGR420H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 13V SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 13V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz Gewinn: - Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager8.244

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