BFU550XVL
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFU550XVL |
| PNEDA Teilenummer | BFU550XVL |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFU550XVL Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU550XVL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU550XVL Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 15.5dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Gull Wing |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 23dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 23dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
