PH1090-75L
Nur als Referenz
| Teilenummer | PH1090-75L | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | PH1090-75L | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 70V | ||||||||||||||||||
| Hersteller | M/A-Com Technology Solutions | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 885 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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PH1090-75L Ressourcen
| Marke | M/A-Com Technology Solutions |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PH1090-75L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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PH1090-75L Technische Daten
| Hersteller | M/A-Com Technology Solutions |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 70V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10.70dB ~ 10.81dB |
| Leistung - max | 75W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 400MHz ~ 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.7dB Leistung - max 1167W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M102 Lieferantengerätepaket M102 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.3dB Leistung - max 875W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M103 Lieferantengerätepaket M103 |
