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CMPTH81 TR

CMPTH81 TR

Nur als Referenz

Teilenummer CMPTH81 TR
PNEDA Teilenummer CMPTH81-TR
Beschreibung RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 5.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CMPTH81 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCMPTH81 TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
CMPTH81 TR, CMPTH81 TR Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 478,89 KB)
PDFCMPTH81 BK Datenblatt Cover
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CMPTH81 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang600MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.2db ~ 7dB

Leistung - max

575W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 80mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

SD1536-03

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

BLS2731-20,114

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-445C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

MAX2602ESA+T

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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