MS2553C
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| Teilenummer | MS2553C |
| PNEDA Teilenummer | MS2553C |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.740 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2553C Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2553C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2553C Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10.5dB |
| Leistung - max | 175W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M220 |
| Lieferantengerätepaket | M220 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.6A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
