BFU550WF
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| Teilenummer | BFU550WF |
| PNEDA Teilenummer | BFU550WF |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU550WF Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU550WF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU550WF Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 11GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 23dB Leistung - max 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 17GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 20dB ~ 22dB Leistung - max 16mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 3mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3.6mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.4dB Leistung - max 292W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
