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BFU550WF

BFU550WF

Nur als Referenz

Teilenummer BFU550WF
PNEDA Teilenummer BFU550WF
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.570
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU550WF Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU550WF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU550WF, BFU550WF Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 296,66 KB)
PDFBFU550WF Datenblatt Cover
BFU550WF Datenblatt Seite 2 BFU550WF Datenblatt Seite 3 BFU550WF Datenblatt Seite 4 BFU550WF Datenblatt Seite 5 BFU550WF Datenblatt Seite 6 BFU550WF Datenblatt Seite 7 BFU550WF Datenblatt Seite 8 BFU550WF Datenblatt Seite 9 BFU550WF Datenblatt Seite 10 BFU550WF Datenblatt Seite 11

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BFU550WF Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB @ 1.8GHz
Gewinn12dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

Gewinn

12.5dB ~ 13.5dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MICRO-X1

Lieferantengerätepaket

MICRO-X1

SD1536-03

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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