BFY193PZZZA1
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| Teilenummer | BFY193PZZZA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFY193PZZZA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFY193PZZZA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFY193PZZZA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFY193PZZZA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
| Gewinn | 12.5dB ~ 13.5dB |
| Leistung - max | 580mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | MICRO-X1 |
| Lieferantengerätepaket | MICRO-X1 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.65dB @ 900MHz Gewinn 20dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
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