MPSH10RLRPG
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| Teilenummer | MPSH10RLRPG |
| PNEDA Teilenummer | MPSH10RLRPG |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPSH10RLRPG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPSH10RLRPG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MPSH10RLRPG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 2.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 15V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11.8db ~ 13dB Leistung - max 11W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
