BFY90
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| Teilenummer | BFY90 |
| PNEDA Teilenummer | BFY90 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFY90 Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFY90 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFY90 Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1.4GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5.5dB @ 800MHz |
| Gewinn | 23dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 25mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-72 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 7dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
