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BFU730LXZ

BFU730LXZ

Nur als Referenz

Teilenummer BFU730LXZ
PNEDA Teilenummer BFU730LXZ
Beschreibung RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Hersteller NXP
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Auf Lager 89.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU730LXZ Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU730LXZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU730LXZ, BFU730LXZ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 146,96 KB)
PDFBFU730LXZ Datenblatt Cover
BFU730LXZ Datenblatt Seite 2 BFU730LXZ Datenblatt Seite 3 BFU730LXZ Datenblatt Seite 4 BFU730LXZ Datenblatt Seite 5 BFU730LXZ Datenblatt Seite 6 BFU730LXZ Datenblatt Seite 7 BFU730LXZ Datenblatt Seite 8 BFU730LXZ Datenblatt Seite 9 BFU730LXZ Datenblatt Seite 10 BFU730LXZ Datenblatt Seite 11

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BFU730LXZ Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3V
Frequenz - Übergang53GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.75dB @ 6GHz
Gewinn15.8dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce205 @ 2mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XFDFN
Lieferantengerätepaket3-DFN1006 (1.0x0.6)

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2N5770_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SD1127

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

640mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

BFP740FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

47GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

9dB ~ 31dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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