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BFU730LXZ

BFU730LXZ

Nur als Referenz

Teilenummer BFU730LXZ
PNEDA Teilenummer BFU730LXZ
Beschreibung RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Hersteller NXP
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFU730LXZ Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU730LXZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU730LXZ, BFU730LXZ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 146,96 KB)
PDFBFU730LXZ Datenblatt Cover
BFU730LXZ Datenblatt Seite 2 BFU730LXZ Datenblatt Seite 3 BFU730LXZ Datenblatt Seite 4 BFU730LXZ Datenblatt Seite 5 BFU730LXZ Datenblatt Seite 6 BFU730LXZ Datenblatt Seite 7 BFU730LXZ Datenblatt Seite 8 BFU730LXZ Datenblatt Seite 9 BFU730LXZ Datenblatt Seite 10 BFU730LXZ Datenblatt Seite 11

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BFU730LXZ Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3V
Frequenz - Übergang53GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.75dB @ 6GHz
Gewinn15.8dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce205 @ 2mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XFDFN
Lieferantengerätepaket3-DFN1006 (1.0x0.6)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

640mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

47GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

9dB ~ 31dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

2SC393400L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz

Gewinn

9dB ~ 12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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