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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
CP681-MPSH81-CT Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager4.482
CP681-MPSH81-CT20 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager8.478
CPH6001A-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager3.870
CPH6003A-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager5.652
CPH6020-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager6.552
CPH6021-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 14dB @ 1GHz Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager8.946
DMC506E20R Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager7.812
DME375A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.5dB Leistung - max: 375W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager7.668
DME400A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANSISTOR BIPO 55AW-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.478
DME500 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB ~ 6.5dB Leistung - max: 1700W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager2.934
DME800 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB ~ 10dB Leistung - max: 2500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST-1 Lieferantengerätepaket: 55ST-1	Auf Lager7.308
DSA9G01C0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANSISTOR RF PNP SSMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.214
DSC5G0200L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2-B	Auf Lager24.192
DSC9F0100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3-B	Auf Lager2.142
DSC9G0200L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3-B	Auf Lager3.294
DSC9G02C0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3-B	Auf Lager158.160
EC3H02BA-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: 3-ECSP1006	Auf Lager4.590
EC4H08C-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 50mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-UFDFN Lieferantengerätepaket: 4-ECSP1008	Auf Lager4.068
EC4H09C-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 26GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-UFDFN Lieferantengerätepaket: 4-ECSP1008	Auf Lager4.914
FH102A-TR-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-MCP	Auf Lager6.282
FH105A-TR-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz Gewinn: 10dB @ 1.5GHz Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-MCP	Auf Lager5.220
FMMT5179TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.202
FMMT5179TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.064
FMMT918TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.076
FMMT918TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.256
FMMTH10TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.518
FMMTH10TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.850
FPNH10 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.132
HFA3046B Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager2.376
HFA3046B96 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Transistortyp: 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager3.690

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