DME375A
Nur als Referenz
Teilenummer | DME375A |
PNEDA Teilenummer | DME375A |
Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.668 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DME375A Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DME375A |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DME375A Datasheet
- where to find DME375A
- Microsemi
- Microsemi DME375A
- DME375A PDF Datasheet
- DME375A Stock
- DME375A Pinout
- Datasheet DME375A
- DME375A Supplier
- Microsemi Distributor
- DME375A Price
- DME375A Distributor
DME375A Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinn | 6.5dB |
Leistung - max | 375W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 300mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | 55AW |
Lieferantengerätepaket | 55AW |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz Gewinn 7.5dB ~ 16.5dB Leistung - max 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket USM |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 22.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 50mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-MCPH |
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn - Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |