DME800
Nur als Referenz
| Teilenummer | DME800 |
| PNEDA Teilenummer | DME800 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.308 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DME800 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DME800 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DME800 Datasheet
- where to find DME800
- Microsemi
- Microsemi DME800
- DME800 PDF Datasheet
- DME800 Stock
- DME800 Pinout
- Datasheet DME800
- DME800 Supplier
- Microsemi Distributor
- DME800 Price
- DME800 Distributor
DME800 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9dB ~ 10dB |
| Leistung - max | 2500W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 600mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55ST-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55ST-1 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.8V Frequenz - Übergang 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Gewinn 12.5dB ~ 26.5dB Leistung - max 230mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 18dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 18.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
