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BFP460H6433XTMA1

BFP460H6433XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP460H6433XTMA1
PNEDA Teilenummer BFP460H6433XTMA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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BFP460H6433XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP460H6433XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP460H6433XTMA1, BFP460H6433XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 617,63 KB)
PDFBFP460H6433XTMA1 Datenblatt Cover
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BFP460H6433XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.8V
Frequenz - Übergang22GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
Gewinn12.5dB ~ 26.5dB
Leistung - max230mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

MS1076C

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MS2212

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.1dB ~ 8.9dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.8A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M222

Lieferantengerätepaket

M222

HFA3102BZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

6 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

12.4dB ~ 17.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

EC4H09C-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

26GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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