BFG425W,135
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| Teilenummer | BFG425W,135 |
| PNEDA Teilenummer | BFG425W-135 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG425W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG425W,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG425W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 25GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Gewinn | 20dB |
| Leistung - max | 135mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | CMPAK-4 |
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Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 750mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1GHz Gewinn 10.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PW-MINI |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9.5dB Leistung - max 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
