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BFG425W,135

BFG425W,135

Nur als Referenz

Teilenummer BFG425W,135
PNEDA Teilenummer BFG425W-135
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.492
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG425W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG425W,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG425W, BFG425W Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 143,86 KB)
PDFBFG425W Datenblatt Cover
BFG425W Datenblatt Seite 2 BFG425W Datenblatt Seite 3 BFG425W Datenblatt Seite 4 BFG425W Datenblatt Seite 5 BFG425W Datenblatt Seite 6 BFG425W Datenblatt Seite 7 BFG425W Datenblatt Seite 8 BFG425W Datenblatt Seite 9 BFG425W Datenblatt Seite 10 BFG425W Datenblatt Seite 11

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BFG425W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn20dB
Leistung - max135mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1GHz

Gewinn

10.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB @ 175MHz

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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