DME500
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| Teilenummer | DME500 |
| PNEDA Teilenummer | DME500 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DME500 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DME500 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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DME500 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 6dB ~ 6.5dB |
| Leistung - max | 1700W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 500mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55KT |
| Lieferantengerätepaket | 55KT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33) |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 17dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket SC-82FL/MCPH4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 940W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M216 Lieferantengerätepaket M216 |
